Er besteht aus 64-lagigem VNAND-Flash-Speicher mit einer Kapazität von 512 GBit. Die neuen Chips erreichen eine Schreibgeschwindigkeit von bis zu 860 MByte pro Sekunde. Mit bis zu 42.000 IOPS sind die Chips zudem 400-mal leistungsfähiger als eine SD-Speicherkarte.
Quelle: ZDNet.de – Samsung stellt 512 GByte großen eUFS-Speicher für Smartphones vor
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